根據 TrendForce 集邦咨詢最新的內存現貨價格趨勢報告，DRAM 方面，DDR5 價格已顯現放緩跡象，預計 25 年第三季度整體 DRAM 價格漲幅將有所緩和。至于 NAND 閃存，現貨價格在 2 月下旬以來上漲后已達到相對較高的水平，購買勢頭現在正在降溫。詳情如下：DRAM 現貨價格：與 DDR4 產品相比，DDR5 產品仍然會出現小幅現貨價格上漲。然而，DDR5 產品的平均現貨價格已經相當高，在某些情況下甚至高于合同價格。因此，上升趨勢最近有所緩和。組件公司和現貨交易員仍然更愿意接受 DDR4
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DDR5 DRAM
Bourns 開發(fā)了兩款具有納米晶內核的屏蔽式功率電感器，以降低 DDR5 內存系統(tǒng)的功率損耗。SRP2512CL 和 SRP3212CL 系列屏蔽式功率電感器具有低交流電阻 （ACR） 和低直流電阻 （DCR），可滿足最新的 DDR5 內存技術規(guī)格，例如 DDR5 電源管理集成電路 （PMIC） 和臺式電腦、筆記本電腦和平板電腦中的客戶端 DDR5 模塊中的規(guī)格。SRP2512CL 和 SRP3212CL 系列電感器采用屏蔽結構制造，可實現低磁場輻射和納米晶磁芯，以支持高電
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DDR5 PMIC 屏蔽式功率電感器
根據 TrendForce 集邦咨詢最新的內存現貨價格趨勢報告，關于 DRAM，現貨市場顯示，由于預期未來供應趨緊，DDR4 產品的價格相比 DDR5 產品的價格上漲幅度更大。至于 NAND 閃存，買家放慢了詢價和交易的速度。詳情如下：DRAM 現貨價格：與合約市場的情況類似，現貨市場顯示，由于預期未來供應趨緊，DDR4 產品的價格與 DDR5 產品的價格相比上漲幅度更大。DDR5 產品的價格也繼續(xù)逐步上漲，因為模塊公司急于增加庫存。TrendForce 集邦咨詢相信，整體而言，現貨價格在整個 2Q25
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內存 DDR4 DDR5
楷登電子（美國 Cadence 公司）近日宣布率先推出基于臺積公司 N3 工藝的 DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2 內存 IP 解決方案。該新解決方案可滿足業(yè)內對于更大內存帶寬的需求，能適應企業(yè)和數據中心應用中前沿的 AI 處理需求，包括云端 AI。Cadence? DDR5 MRDIMM IP 基于 Cadence 經過驗證且非常成功的 DDR5 和 GDDR6 產品線，擁有全新的可擴展、可調整的高性能架構。此 IP 解決方案已與人工智能、高性能計算和數據中心領域的多家領先客戶建立合作
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Cadence DDR5 MRDIMM Gen2 內存IP 云端AI
三星已向其供應鏈傳達消息，多款基于1y nm（第二代10nm級別）工藝制造的DDR4產品本月即將停產，以及1z nm（第三代10nm級別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進入EOL階段。與此同時，美光已通知客戶將停產服務器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產能削減至其生產份額的20%。這意味著內存制造商正加速產品過渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產品。ddr4和ddr5的區(qū)別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
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DDR4 DDR5 三星 SK海力士 內存 HBM
4月23日晚間，瀾起科技披露一季報，2025年第一季度實現營業(yè)收入12.22億元，同比增長65.78%；凈利潤5.25億元，同比增幅達135.14%；扣非后凈利潤為5.03億元，同比增長128.83%。瀾起科技目前擁有互連類芯片和津逮?服務器平臺兩大產品線。該季度，瀾起科技互連類芯片產品線銷售收入為11.39億元，同比增長63.92%；津逮?服務器平臺產品線銷售收入為0.8億元，同比增長107.38%。對于業(yè)績大幅增長原因，瀾起科技指出，主要得益于2024年第4季人工智能（AI）市場成長強勁，高效運算（H
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瀾起科技 DDR5 存儲
2025年4月23日，SK海力士宣布，公司成功完成CMM（CXL Memory Module）- DDR5 96GB（千兆字節(jié)）產品的客戶驗證，是基于CXL* 2.0標準的DRAM解決方案產品。SK海力士表示：“將此產品應用于服務器系統(tǒng)，相較于現有的DDR5模組，其容量增長了50%，寬帶擴展了30%，可處理每秒最多36GB的數據。該產品有望顯著降低客戶在構建并運營數據中心時所需的總體擁有成本*?！崩^96GB產品驗證，公司正在與其他客戶開展128GB產品的驗證流程。該產品搭載第五代10納米級（1b）32Gb
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SK海力士 CXL 2.0 DDR5 數據中心存儲
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布率先推出面向第二代DDR5多容量雙列直插式內存模塊（MRDIMM）的完整內存接口芯片組解決方案。人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和其它數據中心應用對內存帶寬的要求不斷提高，這就需要新的DDR5 MRDIMM。它們的運行速度高達每秒12,800兆次傳輸（MT/s）；與第一代解決方案相比內存帶寬提高1.35倍。瑞薩與包括CPU和內存供應商在內的行業(yè)領導者以及終端客戶合作，在新型MRDIMM的設計、開發(fā)與部署方面發(fā)揮了關鍵作用。瑞薩設計并推出三款全新關鍵組件：RRG
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瑞薩 DDR5 MRDIMM 內存接口芯片組
10 月 30 日消息，芝奇國際今日宣布再度刷新內存頻率超頻世界紀錄，由華碩 ROG 極限超頻者 SAFEDISK 上傳的成績，通過液態(tài)氮極限超頻技術，創(chuàng)下 DDR5-12112 的超頻紀錄。該紀錄使用的是芝奇 Trident Z5 旗艦系列 DDR5 內存，搭配最新英特爾酷睿 Ultra 9 285K 處理器及華碩 ROG MAXIMUS Z890 APEX 主板。IT之家附圖如下：此成績已上傳至 HWBOT 及 CPU-Z，超越了 10 月 25 日微星 MEG Z890 UNIFY-X
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芝奇 內存 DDR5
?Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）于近日宣布推出兩款內置時鐘驅動器的全新類型內存，即?Crucial??英睿達??DDR5?時鐘驅動器無緩沖雙列直插式內存模塊?(CUDIMM)?和時鐘驅動器小型雙列直插式內存模塊?(CSODIMM)，并已開始批量出貨。這兩款全新內存均符合?JEDEC?標準，運行速度高達?6,400MT/s，是?DDR4?的兩
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美光 時鐘驅動器 DDR5
IT之家 9 月 4 日消息，據韓媒 ZDNET Korea 報道，三星電子 MX 部門 8 月向 DS 部門表達了對面向 Galaxy S25 系列手機的 1b nm （IT之家注：即 12nm 級） LPDDR 內存樣品供應延誤的擔憂。三星電子于 2023 年 5 月啟動 1b nm 工藝 16Gb DDR5 內存量產，后又在當年 9 月發(fā)布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在內部推進 1b nm LPDDR 移動內存產品的開發(fā)工作。然而該韓媒此前就在今年 6 月
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三星 內存 DDR5
2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現了10納米出頭的超微細化存儲工藝技術。SK海力士強調：“隨著10納米級DRAM技術的世代相傳，微細工藝的難度也隨之加大，但公司以通過業(yè)界最高性能得到認可的第五代（1b）技術力為基礎，提高了設計完成度，率先突破了技術極限。公司將在年內完成1c
DDR5 DRAM的量產準備，從明年開始供應產品，引領半導體存儲器市場發(fā)展。”公司以1b DRAM
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SK海力士 第六代 10納米級 DDR5 DRAM
隨著游戲要求越來越高，DDR4 和 DDR5 內存之間的差距不斷擴大。
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近日，美光科技宣布在業(yè)界率先驗證并出貨基于大容量32Gb單塊DRAM芯片的128GB DDR5 RDIMM內存，其速率在所有主流服務器平臺上均高達5600MT/s。據介紹，該款128GB DDR5 RDIMM內存采用美光行業(yè)領先的1β（1-beta）制程技術，相較于采用3DS硅通孔（TSV）技術的競品，容量密度提升45%以上，1能效提升高達22%，2延遲降低高達16%1。該款高速率內存模組特別針對數據中心常見的任務關鍵型應用，包括人工智能（AI）和機器學習（ML）、高性能計算（HPC）、內存數據庫（IMD
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DRAM芯片 美光科技 DDR5
5月6日消息，供應鏈爆料稱，SK海力士將對旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產品提價，漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說法，海力士DRAM產品價格從去年第四季度開始逐月上調，目前已累計上漲約60%-100%不等，下半年漲幅將趨緩?？恐鎯q價，三星電子2024年第一季營業(yè)利潤達到了6.606萬億韓元。財報顯示，三星電子一季度存儲業(yè)務營收17.49萬億韓元，環(huán)比增長11%，同比暴漲96%，在整體的半導體業(yè)務營收當中的占比高達75.58%。三星表示，一季度存儲市場總體需求強勁，特別是生
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SK海力士 三星 DDR5 NAND Flash 上漲
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